環境に寄与する計測・プロセス技術 ～ＰＵｉＰ 大学知財群活用プラットフォーム～ 新技術説明会【オンライン開催】
日時：2026年01月13日(火) 13:55～15:55
会場：オンライン開催
参加費：無料
主催：科学技術振興機構、
PUiP大学知財群活用プラットフォーム、
東京電機大学、株式会社信州ＴＬＯ、
日本原子力研究開発機構、神奈川大学
＜お申込み方法・聴講方法＞
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申込受付：開催日前日まで
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発表内容一覧
発表内容詳細
- 13:55～14:00
開会挨拶
PUiP 大学知財群活用プラットフォーム 幹事長 勝野 進一
- 14:00～14:25
- 計測
1）有害ガスを見る！イオン液体による目視型ガスセンサ
東京電機大学 理工学部 理工学科 准教授 足立 直也
新技術の概要
イオン液体を用いた色の変化から目視で判断するガスセンサに関する技術です。
一般的な半導体型のガスセンサは、目視ではガスの検出を判断できません。今回の技術は、イオン液体を用いて塩酸やアンモニアガスの検出により色調が黄色から青色に変化するものです。そのため、有害ガスを色の変化から判断できるようになります。
従来技術・競合技術との比較
従来のガスセンサは、半導体ガスセンサやポータブル型ガスセンサなど電源を必要とします。しかし、本技術は有機化合物の色の変化によりガスを検出するため電源を必要としません。ガスクロマトグラフィなどはガスの採取や測定に時間がかかりますが、本技術ではその場で瞬時にガスの検出を可能とします。
新技術の特徴
・有害ガスの目視検出
・色の変化でガスの存在を確認できる
・イオン液体を用いた化学センサ
想定される用途
・目視型のガスセンサ
・有害ガスの漏洩検知
・電源不要でその場で使用可能なガスセンサ
関連情報
・デモあり
- 14:30～14:55
- エネルギー
2）配線不要！太陽光と水から水素キャリアをつくる光触媒隔膜シート
信州大学 工学部 物質化学科 准教授 影島 洋介
新技術の概要
異相界面において光触媒反応を進行させることができる隔膜シートを開発した。光触媒隔膜シートは、水とトルエンの界面において、水を水素源としてトルエンを直接水素化することで、有用な水素キャリアであるメチルシクロヘキサンを生成する。紫外～可視光を利用したメチルシクロヘキサン生成が確認できた。
従来技術・競合技術との比較
従来の太陽電池もしくは光電極を用いたトルエン水素化反応設備は、電極や配線等の複雑な補機系統を要していた。新技術は、光触媒粉末を隔膜と一体化させることで、補機系統を省略したシンプルな構成での有機ハイドライド製造を可能とした。これにより、エネルギー使用量の削減や装置・工程数の簡素化が期待できる。
新技術の特徴
・異相界面(水/油界面)で光触媒反応を進行させることができる
・光触媒的に有機物を変換することができる
・太陽光にふくまれる可視光を利用することができる
想定される用途
・人工光合成
・化成品合成
・有機物の改質
- 15:00～15:25
- 分析
3）テーブルトップで14C年代測定～超小型加速器質量分析装置～
日本原子力研究開発機構 東濃地科学センター 年代測定技術開発グループ
研究副主幹 藤田 奈津子
新技術の概要
加速器質量分析（AMS）において、イオン・チャネリングを用いた透過膜を利用することにより、測定の高精度化と装置の飛躍的な小型化を実現しました。テーブルトップ型の炭素-14年代測定用超小型AMSを提供することができるようになり、AMSを世界中に普及させられる技術です。
従来技術・競合技術との比較
従来のAMS装置のフィルタリング手法では、ガスによる拡散、低い透過率という課題を抱えていました。本技術はそれらを克服し、ガス不要・高透過率を両立することで、安定かつ効率的な分別を可能にし、AMSの小型化と高性能化を同時に実現します。これにより、低コスト・高感度な年代測定を可能とします。
新技術の特徴
・常識を覆す飛躍的なAMSの小型化
・ビーム広がりによるビーム損失を格段に低減
・小型化による省エネ
想定される用途
・文化財や考古試料の発掘調査現場でのその場測定
・断層活動・火山活動・熱水変質の履歴解析
・新薬評価
- 15:30～15:55
- 製造技術
4）超低抵抗を実現！ダイヤモンドパワー半導体の革新的製造技術
神奈川大学 理学部 理学科 准教授 星野 靖
新技術の概要
ダイヤモンドを高温に保った状態で高濃度イオン注入を行うことにより、ダイヤモンドの結晶性を保持したまま高濃度でドーパントイオンを注入できる技術である。CVDドーピングでは達成できない濃度での不純物ドーピングも可能になり、局所的に超低抵抗層の形成が実現した。
従来技術・競合技術との比較
従来のように低温(室温)において、高濃度の不純物原子をダイヤモンドにドーピングすると、ダイヤモンドの結晶構造が破壊されてしまい、高濃度ドーピングへの障害となっていた。試料を高温に保った状態でイオン注入し、高温アニール処理することにより、高濃度での局所ドーピングが可能になった。
新技術の特徴
・高温イオン注入と高温アニール
・高濃度不純物ドーピングによる低抵抗層形成
・省エネルギー半導体デバイスの実現
想定される用途
・省エネルギー半導体デバイスの製造プロセス
・ダイヤモンド量子センサー・量子デバイス
・次世代パワー半導体
お問い合わせ
連携・ライセンスについて
PUiP 大学知財群活用プラットフォーム事務局
（東京電機大学 研究推進社会連携センター）
TEL：03-5284-5225
Mail：puip 
chizaigun.org
URL：https://www.chizaigun.org/
東京電機大学 研究推進社会連携センター
TEL：03-5284-5225
Mail：crc jim.dendai.ac.jp
URL：https://www.dendai.ac.jp/crc/tlo/
株式会社信州ＴＬＯ 事業化支援グループ
TEL：0268-25-5181
Mail：info shinshu-tlo.co.jp
URL：https://shinshu-tlo.co.jp/
日本原子力研究開発機構 研究開発推進部
TEL：080-7528-3908
Mail：seika.riyou jaea.go.jp
URL：https://forms.office.com/pages/responsepage.aspx?id=IblWDX8PH0GuiflA8SY481B0s8Gq3FdNk_AF29YdW-VUREYzQ0dPMkw5NlVZSk9VTUpQRjFMVlVEWiQlQCN0PWcu&route=shorturl
神奈川大学 研究推進部 産学官連携課
TEL：045-481-5661
Mail：sankangaku-renkei kanagawa-u.ac.jp
URL：https://www.kanagawa-u.ac.jp/research/cooperation/
新技術説明会について
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TEL：03-5214-7519
Mail：scettjst.go.jp
